2019年7月12日，中科院微电子所武锦研究员及其团队一行六人应邀到核探测与核电子学国家重点实验室（科大部）进行交流和访问。在近代物理系210会议室，武锦研究员作了题为“中科院微电子所超高速数模混合电路进展报告”的演讲，向国家重点实验室师生汇报了其研究团队在高速高精度模拟-数字转换芯片（ADC）和高速高精度数字-模拟转换芯片（DAC）的最新研究进展情况，并与重点实验室师生展开了深入的讨论。之后，武锦研究员团队还演示了其最新研制的12-bit@3GSPS ADC芯片性能，引起了国家重点实验室师生的极大兴趣。
核探测与核电子学国家重点实验室主任安琪教授主持了报告。他指出，高速高精度ADC和DAC芯片在基础科学、国防安全、通信、测控、医学成像等领域都有广泛的应用，长期以来国内缺乏独立研发的芯片，应用受制于人。希望以后微电子研究所和核探测与核电子学国家重点实验室能够加强合作，充分发挥微电子研究所芯片研发方面的优势和核探测与核电子学国家重点实验室芯片应用方面经验，解决这一“卡脖子”的问题。
图 1 武锦研究员报告
图 212-bit@3GSPS ADC芯片性能演示
武锦研究员简介
武锦研究员2000年毕业于武汉大学物理与信息学院获学士学位，2003年毕业于中国科学院高能物理研究所核技术及应用专业获得硕士学位，2013年毕业于中国科学院大学，获得微电子学与固体电子学工学博士学位。其研究方向为超高速数模混合电路、微波毫米波器件的测量与建模、功率器件和模块等。目前担任中科院微电子所研究员，微电子所高频高压中心副主任，中科院微电子所苏州产业技术研究院执行副院长。